< 这个用欧姆定律即可理解。功率晶体管/MOS/IGBT等半导体器件工作在线性区时，管压降较大，同样电流下的功耗自然就高。在饱和区，压降最低自然功耗也相对最低。开关器件的开关过程存在较大损耗是针对MOS/IGBT这类绝缘栅型器件，系寄生电容充放电的结果。但注意，这里的损耗跟管压降带来的损耗是两码事，不要混淆。建议楼主去看看教材，电子技术基础关于晶体管、MOS部分的内容。