IR2110半桥驱动问题

2019-03-26 19:24发布

站内问答 / 电源技术
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求助！最近在做关于IR2110的半桥驱动电路（参考手册上提供的典型半桥驱动电路），可是在实际的制作过程中出现了以下一些问题，希望大神帮忙解答，谢谢！
1 .如何对电路进行原理上测试呀；
2 .HIN和LIN端口如何接入PWM分别控制两个MOS管工作；
3 .为什么在HO和LO输出为直流，HIN和LIN根本对电路没有作用；

此帖出自小平头技术问答
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19条回答
qwqwqw2088
2019-03-28 13:56
顺便说清楚Qg的意思Qg、Qgd是在设计高频应用中开关损耗的重要项目。如图a中，为达到指定的驱动电压Vgs值（图中xV），栅极的总充电电荷量，即为Qg；Qgd相当与米勒电容Crss，也是影响开关特性的重要参数。两个参数与Vds正相关，Qg与Vds依存关系如图b。驱动栅极的栅极峰值电流Ig(peak)和驱动损耗P(drive loss)可用下式计算：
        Ig(peak)=Qg/t        P(drive loss)=f*Qg*Vgs在高速开关的应用中，功率MOS的Rdson*Qg的积越小，代表器件性能越好。

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