启动期间，推荐用于故障模式的解决方案是：

　　采用快速恢复MOSFET

　　增大导通电阻以减小反向恢复di/dt和dv/dt、体二极管反向电流（Irm） 和峰值电压Vgs，如图6所示

　　增加最小开关频率以防止电容模式

　　在发生输出短路后尽快减少 Vgs关断延迟

       减小过流保护电流

　　
　　图6：反向恢复期间的导通栅极电阻效应
　　
　　图 7.：FRFET （FCH072N60F）和 一般 MOSFET （FCH072N60） 之间的反向恢复特性比较
　　将一般MOSFET替换为快速恢复MOSFET （FRFET？ MOSFET） 非常简单有效，原因是不需要额外电路或器件。图7显示与一般 MOSFET相比， FRFET MOSFET 在反向恢复特性方面的改进。与一般MOSFET （FCH072N60） 相比，FRFET MOSFET （FCH072N60F）的反向恢复电荷减少了90% 。FRFET MOSFET体二极管的耐用性比一般MOSFET好得多。此外，在反向恢复期间若高侧MOSFET从FRFET变为一般 MOSFET，低侧MOSFET的峰值栅源极电压从54V降为26 V。由于改进了这么多特性 ，FRFET MOSFET在LLC谐振半桥转换器中提供更高的可靠性 。