1.如下图电路已知C1=0.3pF；VDD=5V；M1和M2的沟道长为1.6um宽为100um。设计电路参数：M3~M6的沟道长宽、IBais和VBais;以及Vin的直流偏置电压；要求IBais不大于120uA。使得放大器达到以下指标；Av>80db。要求：l 手工分析电路得到设计参数；l 手工计算电路的f3db带宽；l HSPICE仿真验证设计；l 将手工分析和HSPICE仿真结果进行比较。 计算仿真时采用以下参数NMOS模型：MODEL nmos NMOS LEVEL=3， TOX=1.8E-8， LD=0.08U，+UO=500， VMAX=2.0E5， PHI=0.6， GAMMA=0.5，
+NSUB=2.5E16， VTO=0.7， NFS=8.2E11， CGSO=2.5E-10，
+CGBO=2.5E-10， CJSW=2.5E-10， CGDO=2.5E-10， MJ=0.5，
+CJ=2.5E-4， PB=0.9， IS=1.0E-16， JS=1.0E-4
+KF=600E-27 AF=0.8 NLEV=2 RS=600
+RD=600 ETA=0.05 KAPPA=0.007 THETA=0.06
+ACM=2 XJ=2.7E-7 DELTA=0.7PMOS模型
.MODEL pmos PMOS LEVEL=3， TOX=1.8E-8， LD=0.08U，
+UO=165， VMAX=2.7E5， PHI=0.80， GAMMA=0.75，
+NSUB=5.5E16， VTO=-0.7， NFS=7.6E11， CGSO=2.5E-10，
+CGBO=2.75E-10， CJSW=3.4E-10， CGDO=2.5E-10， MJ=0.5，
+CJ=3.7E-4， PB=0.8， IS=1.0E-16， JS=1.0E-4
+KF=400E-27 AF=1.0 NLEV=2 RS=1200
+RD=1200 ETA=0.12 KAPPA=1.5 THETA=0.135
+ACM=2 XJ=2.3E-7 DELTA=0.3 2、已知M1~M4宽长比相等，M5~M8宽长比相等，M5宽长比是M1宽长比的2倍，R1=1K；VDD=5V；器件参数用第二章附表。分析下图电路平衡时V7以及各个晶体管的漏极电流。



补充内容 (2016-7-5 16:43):
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第一题图

第二题图