candylife9 发表于 2018-4-18 13:41
这个也是调用了flash.c里面的几个函数，只是加了些自己的逻辑。但是实际的FLASH应用都很简单，不需要你判 ...

是的，F1确实是这样。。。。但这个是F2啊，内部Flash扇区不一样的，而且它不支持page擦除

a3748622 发表于 2018-4-18 13:46
是的，F1确实是这样。。。。但这个是F2啊，内部Flash扇区不一样的，而且它不支持page擦除

那就更不能用于存储大量独立参数，如果你将这些参数存储到一起，那就需要大量内存来临时保存这些参数。如果你把这些参数分sector存储，就太浪费FLASH资源。所以

说F2坑的显然是还不知道选型是什么意思
看了205的手册，和楼主所描述的Flash相关特性如下：
• 128 bits wide data read
• Byte, half-word, word and double word write
• Sector and mass erase
所以定义128K的数组也没有用，因为并不支持扇区或者页写
如果觉得浪费空间，为何不用16K和64K的扇区，“A main memory block divided into 4 sectors of 16 Kbytes, 1 sector of 64 Kbytes,
and 7 sectors of 128 Kbytes”7楼的方法没有问题，或者干脆外接SPI Flash或者EEPROM，这个也不慢
不清楚楼主的应用场景，所以我只能说在硬件接口的前提之下，去选择最合适的方式
希望可以帮到你

动次打次歌 发表于 2018-4-18 16:32
说F2坑的显然是还不知道选型是什么意思
看了205的手册，和楼主所描述的Flash相关特性如下：
• 128  ...

怎么就不支持扇区擦写了呢。。。。。
Sector and mass erase，意思是扇区和整个芯片的擦除

方法我已经找到了，类似IAP，程序存储在后面扇区，前面一个16K扇区存数据。
至于外接Flash什么的，看来你们老板很大方，1000个产品要1000个Flash。。。。

至于选型，原本的F103就支持page擦除，后来改F2了。至于为什么要改，是因为后期的
某些原因。所以，请不要臆断别人好吗。。。。。。