手机发的贴照片传上来就不清楚了 第二个图该勾的三个我都勾上了 低电平复位高电平进也选了 右边窗口输出的是这样的
自动增量：0000000000000022==>0x08000000-0x0800000F 32 32 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30
DTR电平置低(-3--12V),复位
RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader
...延时100毫秒
DTR电平变高(+3-+12V)释放复位
RTS维持高
开始连接...4, 接收到:79 1F
在串口COM4连接成功@460800bps，耗时592毫秒
芯片内BootLoader版本号：2.2
芯片PID：00000414  STM32F10xxx_High-density
读出的选项字节:
A55AFF00FF00FF00FF00FF00FF00FF00
96位的芯片唯一序列号：
[35FFD6055359383329571751]
[05D6FF35 33385953 51175729]
芯片FLASH容量为256KB
芯片SRAM容量为65535KB(此信息仅供参考,新版本芯片已不包含此信息)
开始全片擦除(全片擦除时间会比较长，请耐心等候!)
全片擦除成功
DTR电平置低(-3--12V),复位
RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader
...延时100毫秒
DTR电平变高(+3-+12V)释放复位
RTS维持高
开始连接...4, 接收到:79 1F
在串口COM4连接成功@460800bps，耗时609毫秒
芯片内BootLoader版本号：2.2
芯片PID：00000414  STM32F10xxx_High-density
读出的选项字节:
A55AFF00FF00FF00FF00FF00FF00FF00
96位的芯片唯一序列号：
[35FFD6055359383329571751]
[05D6FF35 33385953 51175729]
芯片FLASH容量为256KB
芯片SRAM容量为65535KB(此信息仅供参考,新版本芯片已不包含此信息)
第687毫秒，已准备好
开始编程芯片，共需写入4KB,耗时702毫
共写入4KB,进度100%,耗时1981毫秒
成功从08000000开始运行
烧录成功，自动增量增加为：0000000000000023
www.mcuisp.com(全脱机手持编程器EP968,全球首创)向您报告，命令执行完毕，一切正常

求各位大佬指教下

我也是这种问题，怎么解决这个，看配置都没问题

hangz10 发表于 2019-3-17 16:16
求各位大佬指教下

你怎么解决的