分析双N沟道mos buck电路上电烧mos的原因

2019-07-16 13:19发布

大家好,在此发帖请教个问题,48V转13V非隔离buck直流电路。现在设定好25A负载后上电测试会出现板子上其中一个mos烧坏的现象,把坏的mos换了再测就不会再出现问题。
我用示波器测良品mos DS电压最高是64V,低于手册标注的最高80V,栅极开启电压15V,低于手册标注的最高25V,mos开关的时间(上升沿和下降沿)够短,产品有限流保护,30A时电压会被拉很低9-10V。
请问该怎么去测量和分析??谢谢了。

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10条回答
yu1004402274
1楼-- · 2019-07-17 14:18
 精彩回答 2  元偷偷看……
jfdgs
2楼-- · 2019-07-17 18:52
你这双管并联在驱动不足时退化成单管工作,如果不能及时建立起输出电压那个单独工作的管子可能过热烧掉变成短路。
你的电路大概处于比较临界的状态,大部分可以单管启动成功,少部分不成功烧掉。
bleupealike
3楼-- · 2019-07-17 23:58
如果你换了一个MOS就好了,不再出问题,那么,原因无非2个
1、管子采购不对,参数不合格。当然换个合格的就挺过去了。
2、参数设置不合理,实际承受数据超过采购管子正常水平,在换一个,参数其实比坏的那个好点,也就好了。
一般来说,正品管子,参数离散性不大,换一个就好,第一种原因可能性比较大。
对于线路,有一个疑问就是对于你这样大电流的应用,貌似384X系列的驱动目标MOS管能力有点不够。可能这也会是造成损坏的一个可能性。
思考明天
4楼-- · 2019-07-18 00:38
在MOS的DS之间加RC吸收电路

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